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在當今電子設備快速發(fā)展的時代，用戶對于設備充電速度的要求越來越高，快充技術應運而生并迅速普及。而氮化鎵（GaN）作為一種新興的第三代半導體材料，憑借其獨特的物理特性，正在成為快充技術中的關鍵材料，推動著電源管理芯片的革新與發(fā)展。
氮化鎵（GaN）功率器件以其極快的開關速度、優(yōu)秀的導通阻抗以及極低的開關損耗脫穎而出。這些特性使得基于GaN的Flyback拓撲電路能夠將工作頻率提升至200kHz以上。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，這一頻率的大幅提升意味著電源設備可以在更小的體積內實現(xiàn)更高的功率密度，同時顯著提高電源的轉換效率。在快充產(chǎn)品中，電源體積的縮減和轉換效率的提升至關重要，因為它們直接影響到產(chǎn)品的便攜性和能效表現(xiàn)。因此，GaN在Flyback拓撲的快充產(chǎn)品上得到了廣泛的應用，成為快充技術發(fā)展的關鍵推動力量之一。
盡管氮化鎵（GaN）器件本身具有諸多優(yōu)勢，但要充分發(fā)揮其性能，優(yōu)秀的電源管理芯片（PMIC）是不可或缺的關鍵因素。電源管理芯片負責控制和管理電源的輸出，確保電源在各種負載條件下都能穩(wěn)定工作，并且在高頻率下保持高效率。這對于快充產(chǎn)品尤為重要，因為快充需要在短時間內提供大量的電能，電源管理芯片必須能夠精確地控制電流和電壓，以避免過充、過放和過熱等問題，同時還要確保充電過程中的安全性和可靠性。
保護模式齊全：
在這一背景下，芯茂微電子憑借其在電源管理芯片領域的深厚技術積累和創(chuàng)新能力，推出了合封氮化鎵LP88G24DCD的PD65W適配器參考設計。這一設計充分展現(xiàn)了GaN技術的優(yōu)勢，同時也體現(xiàn)了芯茂微電子在電源管理芯片設計上的先進理念。
外推控制芯片如下：
內置GaN的產(chǎn)品：
芯茂微電子的PD65W適配器參考設計具有以下顯著特點：
輕便的體積：由于GaN器件的高頻特性，使得電源設備可以在更小的體積內實現(xiàn)更高的功率密度。這對于便攜式電子設備的快充適配器來說是一個巨大的優(yōu)勢，使得適配器更加輕便易攜，符合現(xiàn)代用戶對于便攜性的追求。
更高的轉換效率：在快充過程中，電源的轉換效率直接關系到充電速度和能源利用率。芯茂微電子的參考設計通過優(yōu)化電路設計和采用高效的GaN器件，實現(xiàn)了高達94.23%的轉換效率。這意味著在充電過程中，更多的電能被有效地轉化為設備所需的能量，減少了能量損耗，提高了充電速度，同時也降低了能源浪費，符合環(huán)保和節(jié)能的發(fā)展趨勢。
外圍電路簡單，占板面積?。盒久㈦娮拥膮⒖荚O計采用了簡潔的外圍電路，減少了元件數(shù)量和復雜度。這不僅降低了生產(chǎn)成本，還提高了產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。同時，簡潔的電路設計使得占板面積大幅減小，為產(chǎn)品的小型化和集成化提供了可能，使得快充適配器可以更加靈活地應用于各種電子設備中。
雙繞組構型效率更高：在電路設計方面，芯茂微電子采用了雙繞組構型，進一步提高了電源的轉換效率。這種構型能夠更好地利用電磁感應原理，提高能量傳輸?shù)男?，同時也有助于降低電磁干擾，提高電源的性能和穩(wěn)定性。
電路圖如下
芯茂微電子的PD65W適配器參考設計在性能方面表現(xiàn)出色。以下是其在不同輸入電壓和負載條件下的性能數(shù)據(jù)：
輸入電壓（VAC） 頻率（Hz） 輸出功率（W） 轉換效率（%）
115 60 65 92.27
230 50 65 92.04
264 50 65 91.37
從上表可以看出，無論是在115VAC/60Hz還是230VAC/50Hz的輸入條件下，芯茂微電子的PD65W適配器參考設計都能保持較高的轉換效率，且在264VAC的高輸入電壓下，轉換效率依然能夠達到91.37%，表現(xiàn)出優(yōu)異的性能和穩(wěn)定性。
氮化鎵（GaN）作為一種新興的第三代半導體材料，憑借其卓越的性能，正在成為快充技術中的關鍵材料。芯茂微電子通過推出合封氮化鎵LP88G24DCD的PD65W適配器參考設計，充分展現(xiàn)了GaN技術的優(yōu)勢，并在電源管理芯片設計上實現(xiàn)了創(chuàng)新突破。這一參考設計不僅具有輕便的體積和更高的轉換效率，還通過簡潔的外圍電路和雙繞組構型提高了產(chǎn)品的可靠性和性能。
隨著快充技術的不斷發(fā)展和普及，氮化鎵（GaN）的應用前景將更加廣闊。芯茂微電子將繼續(xù)致力于GaN技術的研發(fā)和創(chuàng)新，為市場提供更加高效、可靠的電源管理解決方案，推動快充技術的發(fā)展和應用，滿足用戶對于快速充電和便攜性的需求。